在回答这个问题之前，我们得弄清所谓的"体质"是什么意思。用于制造芯片的晶元一般都是单晶硅。在制造过程中，晶元难免会有缺陷。所谓"体质"可以理解为单位面积内晶格缺陷的密度。目前，生产晶元的主要方法是提拉法。提拉法是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体。生产过程中，提拉棒不断旋转，晶体从籽晶由内向外生长。越向外排列出错的概率越大，也就是说产生缺陷的概率越大。因此，从统计学上讲，晶格缺陷的密度由内向外升高。映射回我们开始解释的概念，即靠近中间的芯片体质好，外面的体质差。这还要看光刻厂用的电，比如g3258，越南用湄公河水力发电，制造的u就是大雷，1.2v都上不了4g。哥斯达黎加用的南美木炭烧的火电，因此容易出大雕，1.1v就能上8g。德国用阿尔卑斯的雪发电，但是由于雪力不能有效地发电，所以德国光刻厂生产的g3258数量是零最近印度开发了一种雨cpu，利用乞拉朋齐的雨水作为cpu进行运算，估计其计算能力超过一百万亿个天河二，其基本原理是:雨水是导体，雨水之间的空气是非导体，因此下雨的那块天空整体可以看做一个半导体。其实做晶片其实就像蒸馒头一样。同样的步骤，你蒸出来就是死面的疙瘩，为什么，你是否知道蒸馒头时开着抽油烟机，蒸出来的品质都有变化。何况蒸芯片。至于中间的是否品质更好，我不专业，但是我认为一定有些许区别，这个和气压，温度等环境都有影响。你说他是风水学，也不为过。
至少在光刻环节上是有差别的。然而差别不大（都在容忍度内）。如果差别大到足以影响cpu体制话，早停机检查了，fab的物料、人工、时间贵到爆，绝不允许这种事发生。同时，其他环节会纠正光刻环节造成的偏差。很多光刻环节的容忍度都是和其他环节的纠错能力相关的。所以综合起来体质有细微影响然而不是普通玩家需要担心的。详细光刻环节的差别：纵向：大数据上，靠近圆心的图像们的对焦度比边缘的好。所以刻出来的这一层线路清晰。别以为图像是一个一个一行一行扫出来的，就认为对焦度都一样。其实，这个有超级多的影响因素，人类已经竭尽所能来克服那些已知的效应了。边缘效应无处不在，西瓜的中心甜不是白甜的。来个例子，某国高端光刻机硅片是吸在硅台上的，边缘受力和中心是不同的，硅片边缘放大了看其实是翘起来的…纵向对焦在边缘只好默默流泪了。
横向：靠近圆心的图像们的对准度的标准差比靠近边缘的标准差好些。一般现在一个cpu至少要反复走十几到几十次光刻。我不怕我这一层我刻偏了因为下一层我偏得一样照样好用。，但我怕两层之间相对偏了。标准差越小，对的越准。举个例子：做CPU的光刻机得是高端的吧，高端的得是浸润式（immersion）的吧。immersion水在边缘更容易残留，残留了得蒸发吧，蒸发了会降温吧，降温了会导致硅片形变吧。变形了水平对准就不准了吧。
